Введение в микроэлектронику

Введение в микроэлектронику

Для скачивания материала заполните поле ниже и нажмите скачать.

Сколько будет 3 + 2?

Год: 1968
Описание: Приведены виды материалов используемых в микроэлектронике, основные спецтехнологии приобретения тонких пленок, методы создания и переноса изображения, а также способы модификации конструкций, контроля и метрологии в микроэлектронике. Рассмотрение особенностей развития микроэлектроники, основные этапы. Предназначено для студентов и магистров, постигающих дисциплину "Физические основы микроэлектроники". В учебном пособии рассмотрены физические основы микроэлектроники, интегральные схемы и их спецтехнологии производства. Пособие включает в себя историю становления микроэлектроники, предпосылки ее происхождения и основные направления становления. Следует подметить, что основные тезисы микроэлектроники групповой способ и планарная спецтехнология были освоены при изготовлении транзисторов в конце 50 годов. Микроэлектроника является продолжением становления полупроводниковой электроники, предисловие которой было положено 7 мая 1895 года, когда полупроводниковые свойства твердого тела были использованы А. Основными направлениями твердотельной электроники являются: полупроводниковая электроника, скачать с разработкой разных видов полупроводниковых приборов, и микроэлектроника, связанная с разработкой интегральных схем. Ётапы разработки структурной схемы устройства управлени силовым инвертором. Ётим требовани м удовлетвор ют в первую очередь монокристаллы, в которых в различие от аморфных тел и поликристаллов обеспечиваетс высока периодичность решетки. Ёлектропроводность твердого тела зависит от конструкции внешних электронных оболочек его атомов, определ ющих месторасположение элементов в таблице. Ёлектропроводность полупроводника, обусловленна парными носител ми теплового происхождени, называетс собственной. Ёлектроны в атоме могут занимать только абсолютно определенные, разрешенные энергетические уровни. Ёлектропроводность допустима лишь тогда, когда допустим переход электрона на иной энергетический уровень. Ёлектропроводность твердых тел зависит от взаимного расположени зоны проводимости и валентной зоны. Ёлектрический переход в полупроводнике - это граничный слой между двум област ми, физические колляции которых значительно различаютс. Ёлектронно-дырочный скачать (p-n-переход) находитс на границе между двум книгу ми полупроводника, одна из которых имеет электронную (n), а друга - дырочную (p) электрические проводимости, т. Ёмиттерный переход (на границе областей эмиттер-база) и коллекторный (на границе областей база-коллектор). Ёмиттерна область (эмиттер Ё) - область, предназначение которой - инжекци носителей в базовую область.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *